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忆阻器的概念

发布时间:2023/7/6 17:14:21阅读人数:1771

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忆阻器

忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示,与电阻R,电容C,电感L构成四种基本无源电路器件,它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带,其同时具备电阻和存储的性能,是一种新一代高速存储单元,通常称为阻变存储器(RRAM)。

忆阻器备受关注的重要应用域包括:非易失存储(Nonvolatile memory),逻辑运算(Logic computing),以及类脑神经形态计算(Brain-inspired neuromorphic computing)等。这三种截然不同又相互关联的技术路线,为发展信息存储与处理融合的新型计算体系架构,突破传统冯·诺伊曼架构瓶颈,提供了可行的路线。

在忆阻器研究不断取得新成果的同时,基于忆阻器的多功能耦合器件也成为研究人员关注的热点。这些新型耦合器件包括:磁耦合器件、光耦合器件、超导耦合器件、相变忆阻器件、铁电耦合器件等。
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(一) 忆阻器基础研究测试


忆阻器研究可分为基础研究、性能研究以及集成研究三个阶段,此研究方法对阻变存储器(RRAM)、相变存储器(PCM)和铁电存储器(FeRAM)均适用。忆阻器基础研究阶段主要研究忆阻器材料体系和物理机制,以及对忆阻器器参数进行表征,并通过捏滞回线对忆阻器进行分类。忆阻器基础研究测试包括:直流特性、交流特性及脉冲特性测试。

忆阻器直流特性测试通常与Forming结合,主要测试忆阻器直流V-I曲线,并以此推算SET/RESET 电压/电流、HRSLRS等忆阻器重要参数,可以进行单向扫描或双向扫描。忆阻器交流特性主要进行捏滞回线的测试,捏滞回线是鉴别忆阻器类型的关键。忆阻器脉冲测试能有效地减小直流测试积累的焦耳热的影响,同时,也可以用来研究热量对器件性能的影响。由于忆阻器表征技术正向端化发展,皮脉冲擦写及信号捕捉的需求日益强烈。



原创作者:北京华测试验仪器有限公司

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