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忆阻器

忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。

忆阻器备受关注的重要应用域包括：非易失存储（Nonvolatile memory），逻辑运算（Logic computing），以及类脑神经形态计算（Brain-inspired neuromorphic computing）等。这三种截然不同又相互关联的技术路线，为发展信息存储与处理融合的新型计算体系架构，突破传统冯·诺伊曼架构瓶颈，提供了可行的路线。

在忆阻器研究不断取得新成果的同时，基于忆阻器的多功能耦合器件也成为研究人员关注的热点。这些新型耦合器件包括：磁耦合器件、光耦合器件、超导耦合器件、相变忆阻器件、铁电耦合器件等。
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（一） 忆阻器基础研究测试

忆阻器研究可分为基础研究、性能研究以及集成研究三个阶段，此研究方法对阻变存储器（RRAM）、相变存储器（PCM）和铁电存储器（FeRAM）均适用。忆阻器基础研究阶段主要研究忆阻器材料体系和物理机制，以及对忆阻器器参数进行表征，并通过捏滞回线对忆阻器进行分类。忆阻器基础研究测试包括：直流特性、交流特性及脉冲特性测试。

忆阻器直流特性测试通常与Forming结合，主要测试忆阻器直流V-I曲线，并以此推算SET/RESET 电压/电流、HRS、LRS等忆阻器重要参数，可以进行单向扫描或双向扫描。忆阻器交流特性主要进行捏滞回线的测试，捏滞回线是鉴别忆阻器类型的关键。忆阻器脉冲测试能有效地减小直流测试积累的焦耳热的影响，同时，也可以用来研究热量对器件性能的影响。由于忆阻器表征技术正向端化发展，皮脉冲擦写及信号捕捉的需求日益强烈。

原创作者：北京华测试验仪器有限公司